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高温气固分离 SiC 多孔陶瓷材料制备及性能研究

2016-10-27|发布者:久吾高科

  摘 要:本文利用等静压成型高温气固分离碳化硅多孔陶瓷支撑体,研究了碳化硅含量、造孔剂含量、成型压力及烧成温度对碳化硅多孔陶瓷支撑体孔隙率及抗折强度的影响。 通过研究发现,碳化硅含量在88wt%、成型压力为40MPa、烧成温度为1330℃时,制备的碳化硅支撑体性能较为理想,可用于工业化生产。

  关键词:碳化硅;等静压成型;孔隙率;抗折强度